2.3  µ m InGaAsSb/AlGaAsSb...

Journal of Nanomaterials 2016 Vol. 2016

2.3  µ m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diode via InAs/GaSb Superlattice Layer on GaAs Substrate

You, Minghui, Sun, Qixiang, Yin, Liping, Fan, Juanjuan, Liang, Xuemei, Li, Xue, Yu, Xiuling, Li, Shijun, Liu, Jingshen
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Volume:
2016
Année:
2016
Langue:
english
Journal:
Journal of Nanomaterials
DOI:
10.1155/2016/8393502
Fichier:
PDF, 1.98 MB
english, 2016
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