Effects of High Dose Rate Phosphorus Implantation into...

Japanese Journal of Applied Physics 1978 / 01 Vol. 17; Iss. S1

Effects of High Dose Rate Phosphorus Implantation into Silicon

Tamura, Masao, Yagi, Kunihiro, Sakudo, Noriyuki, Tokiguchi, Katsumi, Tokuyama, Takashi
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Volume:
17
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.7567/JJAPS.17S1.193
Date:
January, 1978
Fichier:
PDF, 1.31 MB
1978
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