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Recent advances in 4H-SiC epitaxy for high-voltage power...

Materials Science in Semiconductor Processing 2018 / 05 Vol. 78

Recent advances in 4H-SiC epitaxy for high-voltage power devices

Tsuchida, Hidekazu, Kamata, Isaho, Miyazawa, Tetsuya, Ito, Masahiko, Zhang, Xuan, Nagano, Masahiro
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Volume:
78
Langue:
english
Journal:
Materials Science in Semiconductor Processing
DOI:
10.1016/j.mssp.2017.11.003
Date:
May, 2018
Fichier:
PDF, 2.12 MB
english, 2018
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