GaAs MESFETs, ring oscillators and divide-by-2 integrated...

Electronics Letters 1988 Vol. 24; Iss. 16

GaAs MESFETs, ring oscillators and divide-by-2 integrated circuits fabricated on MBE grown GaAs on Si substrates

Ren, F., Chand, N., Garbinski, P., Pearton, S.J., Wu, C.S., Urbanek, L.D., Fullowan, T., Shah, N., Feuer, M.D.
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Volume:
24
Année:
1988
Langue:
english
Journal:
Electronics Letters
DOI:
10.1049/el:19880706
Fichier:
PDF, 285 KB
english, 1988
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