Detailed study of NBTI characterization in 40-nm CMOS...

Chinese Physics B 2017 / 09 Vol. 26; Iss. 10

Detailed study of NBTI characterization in 40-nm CMOS process using comprehensive models

Zeng, Yan, Li, Xiao-Jin, Qing, Jian, Sun, Ya-Bin, Shi, Yan-Ling, Guo, Ao, Hu, Shao-Jian
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Volume:
26
Langue:
english
Journal:
Chinese Physics B
DOI:
10.1088/1674-1056/26/10/108503
Date:
September, 2017
Fichier:
PDF, 763 KB
english, 2017
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