[IEEE 2017 International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC) - Hsinchu (2017.10.18-2017.10.20)] 2017 International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC) - High performance bipolar resistive switching characteristics in SiO2/ZrO2/SiO2 tri-layer based CBRAM device

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