Heated ion implantation for high-performance and highly...

Japanese Journal of Applied Physics 2015 / 04 Vol. 54; Iss. 4S

Heated ion implantation for high-performance and highly reliable silicon-on-insulator complementary metal–oxide–silicon fin field-effect transistors

Mizubayashi, Wataru, Onoda, Hiroshi, Nakashima, Yoshiki, Ishikawa, Yuki, Matsukawa, Takashi, Endo, Kazuhiko, Liu, Yongxun, O’uchi, Shinichi, Tsukada, Junichi, Yamauchi, Hiromi, Migita, Shinji, Morita,
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
54
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.7567/JJAP.54.04DA06
Date:
April, 2015
Fichier:
PDF, 1.92 MB
english, 2015
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué