Bandgap and composition of bulk InAsSbBi grown by molecular...

Applied Physics Letters 2017 / 08 Vol. 111; Iss. 8

Bandgap and composition of bulk InAsSbBi grown by molecular beam epitaxy

Webster, Preston T., Shalindar, Arvind J., Schaefer, Stephen T., Johnson, Shane R.
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Volume:
111
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.4994847
Date:
August, 2017
Fichier:
PDF, 737 KB
english, 2017
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