A comprehensive study on the oxidation of 4H-SiC in diluted...

Japanese Journal of Applied Physics 2017 / 04 Vol. 56; Iss. 4S

A comprehensive study on the oxidation of 4H-SiC in diluted N 2 O ambient

Tseng, Yuan-Hung, Wu, Tsung-Han, Tsui, Bing-Yue, Yen, Cheng-Tyng, Hung, Chien-Chung, Lee, Chwan-Ying
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Volume:
56
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.7567/JJAP.56.04CR02
Date:
April, 2017
Fichier:
PDF, 784 KB
english, 2017
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