Characterization of GaN nanostructures by electron field...

Opto-Electronics Review 2017 / 09 Vol. 25; Iss. 3

Characterization of GaN nanostructures by electron field and photo-field emission

Litovchenko, V., Evtukh, A., Grygoriev, A.
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Volume:
25
Langue:
english
Journal:
Opto-Electronics Review
DOI:
10.1016/j.opelre.2017.06.004
Date:
September, 2017
Fichier:
PDF, 2.51 MB
english, 2017
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