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[IEEE 2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD) - Sapporo, Japan (2017.5.28-2017.6.1)] 2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD) - Interfacial damage extraction method for SiC power MOSFETs based on C-V characteristics

Wei, Jiaxing, Liu, Siyang, Ye, Ran, Chen, Xin, Song, Haiyang, Sun, Weifeng, Su, Wei, Ma, Shulang, Liu, Yuwei, Lin, Feng, Hou, Bo
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Année:
2017
DOI:
10.23919/ispsd.2017.7988992
Fichier:
PDF, 660 KB
2017
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