Growth of high-quality In 0.28...

Growth of high-quality In 0.28 Ga 0.72 Sb/AlSb/GaSb/GaAs heterostructure by metalorganic chemical vapor deposition for single-channel Sb-based complementary metal–oxide–semiconductor applications

Huynh, Sa Hoang, Ha, Minh Thien Huu, Do, Huy Binh, Nguyen, Tuan Anh, Yu, Hung Wei, Luc, Quang Ho, Chang, Edward Yi
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Volume:
10
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Express
DOI:
10.7567/APEX.10.075505
Date:
July, 2017
Fichier:
PDF, 1.09 MB
english, 2017
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