High-precision deformation mapping in finFET transistors...

Applied Physics Letters 2017 / 05 Vol. 110; Iss. 22

High-precision deformation mapping in finFET transistors with two nanometre spatial resolution by precession electron diffraction

Cooper, David, Bernier, Nicolas, Rouvière, Jean-Luc, Wang, Yun-Yu, Weng, Weihao, Madan, Anita, Mochizuki, Shogo, Jagannathan, Hemanth
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Volume:
110
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.4983124
Date:
May, 2017
Fichier:
PDF, 2.36 MB
english, 2017
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