Investigation of a Hump Phenomenon in Back-Channel-Etched...

IEEE Electron Device Letters 2017 / 5 Vol. 38; Iss. 5

Investigation of a Hump Phenomenon in Back-Channel-Etched Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Under Negative Bias Stress

Yang, Jianwen, Liao, Po-Yung, Chang, Ting-Chang, Chen, Bo-Wei, Huang, Hui-Chun, Chiang, Hsiao-Cheng, Su, Wan-Ching, Zhang, Qun
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Volume:
38
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/LED.2017.2686898
Date:
May, 2017
Fichier:
PDF, 423 KB
english, 2017
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