Thermally stable device isolation by inert gas heavy ion...

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 2016 / 07 Vol. 34; Iss. 4

Thermally stable device isolation by inert gas heavy ion implantation in AlGaN/GaN HEMTs on Si

Arulkumaran, Subramaniam, Ranjan, Kumud, Ng, Geok Ing, Kennedy, John, Murmu, Peter P., Bhat, Thirumaleshwara N., Tripathy, Sudhiranjan
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Volume:
34
Langue:
english
Journal:
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
DOI:
10.1116/1.4955152
Date:
July, 2016
Fichier:
PDF, 1.60 MB
english, 2016
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