Photoluminescence study on GaN homoepitaxial layers grown...

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 1996 Vol. 1

Photoluminescence study on GaN homoepitaxial layers grown by molecular beam epitaxy

Teisseyre, H., Nowak, G., Leszczynski, M., Grzegory, I., Bockowski, M., Krukowski, S., Porowski, S., Mayer, M., Pelzmann, A., Kamp, Markus, Ebeling, K. J., Karczewski, G.
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Volume:
1
Année:
1996
Langue:
english
Journal:
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
DOI:
10.1557/S109257830000185X
Fichier:
PDF, 65 KB
english, 1996
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