[IEEE 2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) - Sendai, Japan (2016.8.22-2016.8.25)] 2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) - Statistical device simulation of characteristic fluctuation of 10-nm gate-all-around silicon nanowire MOSFETs induced by various discrete random dopants

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