850 nm VCSELs with P-type δ-Doping in the Active Layers for...

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IEEE Journal of Quantum Electronics 2016

850 nm VCSELs with P-type δ-Doping in the Active Layers for Improved High-Speed and High-Temperature Performance

Chi, Kai-Lun, Hsieh, Dan-Hua, Yen, Jia-Liang, Chen, Xin-Nan, Chen, Jason Jyehong, Kuo, Hao-Chung, Yang, Ying-Jay, Shi, Jin-Wei
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Année:
2016
Langue:
english
Journal:
IEEE Journal of Quantum Electronics
DOI:
10.1109/JQE.2016.2611439
Fichier:
PDF, 1.18 MB
english, 2016
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