Properties of Si/Si 1 − x Ge...

Materials Science and Technology 1995 / 04 Vol. 11; Iss. 4

Properties of Si/Si 1 − x Ge x quantum dots and wires grown by selective epitaxy

Vescan, L., Dieker, C., Loo, R., Apetz, R., Hartmann, A., Wickenhäuser, S., Lüth, H.
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Volume:
11
Langue:
english
Journal:
Materials Science and Technology
DOI:
10.1179/mst.1995.11.4.421
Date:
April, 1995
Fichier:
PDF, 1.29 MB
english, 1995
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