A new simulation model for inhomogeneous Au/n-GaN structure

Semiconductors 2016 / 5 Vol. 50; Iss. 5

A new simulation model for inhomogeneous Au/n-GaN structure

Kavasoglu, Nese, Kavasoglu, Abdulkadir Sertap, Metin, Bengul
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Volume:
50
Langue:
english
Journal:
Semiconductors
DOI:
10.1134/S1063782616050134
Date:
May, 2016
Fichier:
PDF, 354 KB
english, 2016
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