Metal–insulator transition of valence-controlled VO...

Japanese Journal of Applied Physics 2016 / 06 Vol. 55; Iss. 6S1

Metal–insulator transition of valence-controlled VO 2 thin film prepared by RF magnetron sputtering using oxygen radical

Suetsugu, Takaaki, Shimazu, Yuichi, Tsuchiya, Takashi, Kobayashi, Masaki, Minohara, Makoto, Sakai, Enju, Horiba, Koji, Kumigashira, Hiroshi, Higuchi, Tohru
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Volume:
55
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.7567/JJAP.55.06GJ11
Date:
June, 2016
Fichier:
PDF, 823 KB
english, 2016
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