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GaN-on-Si HEMT stress under high electric field condition

physica status solidi (c) 2009 Vol. 6; Iss. Supplement

GaN-on-Si HEMT stress under high electric field condition

Denis Marcon, Anne Lorenz, Joff Derluyn, Jo Das, Farid Medjdoub, Kai Cheng, Stefan Degroote, Maarten Leys, Robert Mertens, Marianne Germain, Gustaaf Borghs
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Volume:
6
Année:
2009
Langue:
english
Pages:
1
DOI:
10.1002/pssc.200880885
Fichier:
PDF, 181 KB
english, 2009
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