High-power GaN-HEMT with high three-terminal breakdown...

physica status solidi (c) 2009 Vol. 6; Iss. Supplement

High-power GaN-HEMT with high three-terminal breakdown voltage for W-band applications

Kozo Makiyama, Toshihiro Ohki, Masahito Kanamura, Kazukiyo Joshin, Kenji Imanishi, Naoki Hara, Toshihide Kikkawa
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Volume:
6
Année:
2009
Langue:
english
Pages:
1
DOI:
10.1002/pssc.200880860
Fichier:
PDF, 334 KB
english, 2009
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