Metal-Insulator Transition in Degenerately Doped Si and Ge...

Metal-Insulator Transition in Degenerately Doped Si and Ge under High Uniaxial Pressure

V. V. Baidakov, V. N. Ermakov, A. E. Gorin, V. V. Kolomoets, N. V. Stuchinska, V. A. Shenderovskii, D. P. Tunstall

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Volume:

198

Année:

1996

Langue:

english

Pages:

DOI:

10.1002/pssb.2221980121

Fichier:

PDF, 258 KB

english, 1996

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