DLTS study on deep level defects in Cz-p-Si due to heat...

physica status solidi (a) 1987 Vol. 100; Iss. 2

DLTS study on deep level defects in Cz-p-Si due to heat treatment at 600 to 900 °C

K. Schmalz, F.-G. Kirscht, H. Klose, H. Richter, K. Tittelbach-Helmrich
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Volume:
100
Année:
1987
Langue:
english
Pages:
16
DOI:
10.1002/pssa.2211000223
Fichier:
PDF, 980 KB
english, 1987
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