MOVPE Deposition of AlAs/In0.53Ga0.47As/InP Resonant...

Journal of Wide Bandgap Materials 2001 / 07 Vol. 9; Iss. 1-2

MOVPE Deposition of AlAs/In0.53Ga0.47As/InP Resonant Tunneling Heterostructure Performing High PVR Parameter

Kosiel, K., Dobrzanski, L., Majkusiak, B., Jasik, A.
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Volume:
9
Langue:
english
Journal:
Journal of Wide Bandgap Materials
DOI:
10.1106/152451102025833
Date:
July, 2001
Fichier:
PDF, 206 KB
english, 2001
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