Hydrogenated Amorphous Silicon and Silicon Nitride...

MRS Proceedings 2000 / 1 Vol. 609

Hydrogenated Amorphous Silicon and Silicon Nitride Deposited at less than 100° C by ECR-PECVD for Thin Film Transistors

Flewitt, Andrew J., Dyson, Andrew P., Robertson, John, Milne, William I.
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Volume:
609
Langue:
english
Journal:
MRS Proceedings
DOI:
10.1557/proc-609-a28.2
Date:
January, 2000
Fichier:
PDF, 254 KB
english, 2000
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