Band Gap Modulation of Bilayer MoS2Under Strain Engineering...

Journal of Electronic Materials 2016 / 8 Vol. 45; Iss. 8

Band Gap Modulation of Bilayer MoS2Under Strain Engineering and Electric Field: A Density Functional Theory

Nguyen, Chuong V., Hieu, Nguyen N., Ilyasov, Victor V.
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Volume:
45
Langue:
english
Journal:
Journal of Electronic Materials
DOI:
10.1007/s11664-016-4593-3
Date:
August, 2016
Fichier:
PDF, 909 KB
english, 2016
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