Passivation of SiO2/4H–SiC interface defects via electron...

Applied Surface Science 2016 / 02 Vol. 364

Passivation of SiO2/4H–SiC interface defects via electron cyclotron resonance hydrogen–nitrogen mixed plasma pretreatment for SiC surface combined with post-oxidation annealing

Liu, Bingbing, Qin, Fuwen, Wang, Dejun
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Volume:
364
Langue:
english
Journal:
Applied Surface Science
DOI:
10.1016/j.apsusc.2015.12.226
Date:
February, 2016
Fichier:
PDF, 1.82 MB
english, 2016
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