Properties of ZrO2 thin films prepared by laser ablation

Materials Science in Semiconductor Processing 2002 Vol. 5; Iss. 2-3

Properties of ZrO2 thin films prepared by laser ablation

I. Vrejoiu, D.G. Matei, M. Morar, G. Epurescu, A. Ferrari, M. Balucani, G. Lamedica, G. Dinescu, C. Grigoriu, M. Dinescu
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Volume:
5
Année:
2002
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/s1369-8001(02)00083-5
Fichier:
PDF, 1.85 MB
english, 2002
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