Homoepitaxial growth of GaN crystals by Na-flux dipping...

Japanese Journal of Applied Physics 2015 / 10 Vol. 54; Iss. 10

Homoepitaxial growth of GaN crystals by Na-flux dipping method

Sato, Taro, Nakamura, Koshi, Imanishi, Masayuki, Murakami, Kosuke, Imabayashi, Hiroki, Takazawa, Hideo, Todoroki, Yuma, Matsuo, Daisuke, Imade, Mamoru, Maruyama, Mihoko, Yoshimura, Masashi, Mori, Yusu
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Volume:
54
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.7567/JJAP.54.105501
Date:
October, 2015
Fichier:
PDF, 1013 KB
english, 2015
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