PECVD and Thermal Gate Oxides on 3C vs. 4H SiC: Impact on...

ECS Journal of Solid State Science and Technology 2015 Vol. 4; Iss. 9

PECVD and Thermal Gate Oxides on 3C vs. 4H SiC: Impact on Leakage, Traps and Energy Offsets

Gutt, T., Przewlocki, H. M., Piskorski, K., Mikhaylov, A., Bakowski, M.
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Volume:
4
Année:
2015
Langue:
english
Journal:
ECS Journal of Solid State Science and Technology
DOI:
10.1149/2.0101509jss
Fichier:
PDF, 364 KB
english, 2015
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