Effect of Si doping on structural, photoluminescence and electrical properties of GaN
N.M. Shmidt, A.V. Lebedev, W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, V.V. Ratnikov, T.V. Shubina, A.A. Tsatsul’nikov, A.S. Usikov, G. Pozina, B. MonemarVolume:
59
Année:
1999
Langue:
english
Pages:
3
DOI:
10.1016/s0921-5107(98)00400-0
Fichier:
PDF, 83 KB
english, 1999