Deep levels introduced in n-GaN grown by the ELOG technique...

Materials Science and Engineering: B 2001 Vol. 82; Iss. 1-3

Deep levels introduced in n-GaN grown by the ELOG technique by high-energy electron irradiation

S.A Goodman, F.D Auret, G Myburg, M.J Legodi, P Gibart, B Beaumont
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Volume:
82
Année:
2001
Langue:
english
Pages:
3
DOI:
10.1016/s0921-5107(00)00746-7
Fichier:
PDF, 86 KB
english, 2001
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