Point defect interaction with dislocations in silicon

Materials Science and Engineering: A 2001 Vol. 309-310; Iss. none

Point defect interaction with dislocations in silicon

João F Justo, Maurice de Koning, Wei Cai, Vasily V Bulatov
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Volume:
309-310
Année:
2001
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/s0921-5093(00)01738-x
Fichier:
PDF, 111 KB
english, 2001
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