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Capacitance–conductance–current–voltage characteristics of...

Materials Science in Semiconductor Processing 2015 / 11 Vol. 39

Capacitance–conductance–current–voltage characteristics of atomic layer deposited Au/Ti/Al2O3/n-GaAs MIS structures

Turut, A., Karabulut, A., Ejderha, K., Bıyıklı, N.
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Volume:
39
Langue:
english
Journal:
Materials Science in Semiconductor Processing
DOI:
10.1016/j.mssp.2015.05.025
Date:
November, 2015
Fichier:
PDF, 908 KB
english, 2015
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