A 340-nm-band ultraviolet laser diode composed of GaN well...

Optics Express 2013 / 02 Vol. 21; Iss. 3

A 340-nm-band ultraviolet laser diode composed of GaN well layers

Yamashita, Yoji, Kuwabara, Masakazu, Torii, Kousuke, Yoshida, Harumasa
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Volume:
21
Langue:
english
Journal:
Optics Express
DOI:
10.1364/oe.21.003133
Date:
February, 2013
Fichier:
PDF, 1.24 MB
english, 2013
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