Control of the Electrical Properties of AlN/thin-a-Si/GaAs...

Japanese Journal of Applied Physics 1990 / 2 Vol. 29; Iss. Part 2, No

Control of the Electrical Properties of AlN/thin-a-Si/GaAs MIS Diodes by GaAs Surface Pretreatments

Fujieda, Shinji, Mochizuki, Yasunori, Akimoto, Koichi, Hirosawa, Ichiro, Matsumoto, Yoshishige, Matsui, Junji
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Volume:
29
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.29.L364
Date:
February, 1990
Fichier:
PDF, 524 KB
1990
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