Interdiffusion of Si and Ge Atoms during Gas-Source MBE of...

Japanese Journal of Applied Physics 1990 / 9 Vol. 29; Iss. Part 2, No

Interdiffusion of Si and Ge Atoms during Gas-Source MBE of Ge on Si(100) at 500-800°C

Suemitsu, Maki, Chiba, Kazuhiro, Miyamoto, Nobuo
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
29
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.29.L1591
Date:
September, 1990
Fichier:
PDF, 510 KB
1990
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué