3-D Resistive Memory Arrays: From Intrinsic Switching...

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IEEE Transactions on Electron Devices 2015

3-D Resistive Memory Arrays: From Intrinsic Switching Behaviors to Optimization Guidelines

Li, Haitong, Gao, Bin, Chen, Hong-Yu, Chen, Zhe, Huang, Peng, Liu, Rui, Zhao, Liang, Jiang, Zizhen, Liu, Lifeng, Liu, Xiaoyan, Yu, Shimeng, Kang, Jinfeng, Nishi, Yoshi, Wong, H.-S. Philip
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Année:
2015
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
DOI:
10.1109/TED.2015.2468602
Fichier:
PDF, 4.04 MB
english, 2015
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