Characterization of SiO2 layers thermally grown on 4H-SiC...

Applied Surface Science 1999 Vol. 150; Iss. 1-4

Characterization of SiO2 layers thermally grown on 4H-SiC using high energy photoelectron spectroscopy

L.I Johansson, P.-A Glans, Q Wahab, T.M Grehk, Th Eickhoff, W Drube
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Volume:
150
Année:
1999
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/s0169-4332(99)00238-x
Fichier:
PDF, 210 KB
english, 1999
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