Growth of patterned SiC by ion modification and annealing...

Applied Surface Science 1997 Vol. 119; Iss. 1-2

Growth of patterned SiC by ion modification and annealing of C60 films on silicon

L. Moro, A. Paul, D.C. Lorents, R. Malhotra, R.S. Ruoff, L. Jiang, G.W. Stupian, K.J. Wu, S. Subramoney
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Volume:
119
Année:
1997
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1016/s0169-4332(96)01086-0
Fichier:
PDF, 553 KB
english, 1997
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