Role of the defects under porous silicon carbide formation

Applied Surface Science 2001 Vol. 184; Iss. 1-4

Role of the defects under porous silicon carbide formation

N.S. Savkina, L.M. Sorokin, J.L. Hutchison, J. Sloan, A.S. Tregubova, G.N. Mosina, V.B. Shuman, V.V. Ratnikov
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Volume:
184
Année:
2001
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/s0169-4332(01)00504-9
Fichier:
PDF, 256 KB
english, 2001
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