The Auger transistor based on the Al–SiO2–n–Si heterostructure
E.V. Ostroumova, A.A. RogachevVolume:
166
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/s0169-4332(00)00479-7
Fichier:
PDF, 108 KB
english, 2000