Lattice constant of GaN grown on 6H–SiC by MOMBE

Applied Surface Science 2000 Vol. 159-160; Iss. none

Lattice constant of GaN grown on 6H–SiC by MOMBE

Tohru Honda, Naoya Fujita, Kyousuke Maki, Youichi Yamamoto, Hideo Kawanashi
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Volume:
159-160
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/s0169-4332(00)00082-9
Fichier:
PDF, 724 KB
english, 2000
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