Effects of Post-Deposition Annealing on the Electrical...

Japanese Journal of Applied Physics 2005 / 4 Vol. 44; Iss. 4B

Effects of Post-Deposition Annealing on the Electrical Properties of HfSiO Films Grown by Atomic Layer Deposition

Cho, Hag-Ju, Lee, Hye Lan, Park, Hong Bae, Jeon, Taek Soo, Park, Seong Geon, Jin, Beom Jun, Kang, Sang Bom, Shin, Yu Gyun, Chung, U-In, Moon, Joo Tae
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Volume:
44
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.44.2230
Date:
April, 2005
Fichier:
PDF, 364 KB
english, 2005
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