Reactive ion etching with end point detection of...

Microelectronic Engineering 2000 Vol. 54; Iss. 3-4

Reactive ion etching with end point detection of microstructured Mo/Si multilayers by optical emission spectroscopy

L. Dreeskornfeld, R. Segler, G. Haindl, O. Wehmeyer, S. Rahn, E. Majkova, U. Kleineberg, U. Heinzmann, P. Hudek, I. Kostic
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Volume:
54
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
12
DOI:
10.1016/s0167-9317(99)00449-9
Fichier:
PDF, 451 KB
english, 2000
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