Logic Gates Based on Carbon Nanotube Field-Effect...

Japanese Journal of Applied Physics 2010 / 6 Vol. 49; Iss. 6

Logic Gates Based on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with SiN x Passivation Films

Kishimoto, Takaomi, Ohno, Yasuhide, Maehashi, Kenzo, Inoue, Koichi, Matsumoto, Kazuhiko
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Volume:
49
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.49.06GG02
Date:
June, 2010
Fichier:
PDF, 324 KB
english, 2010
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