Monitoring of the thermal annealing of HDP-Si oxides by...

Microelectronic Engineering 1997 Vol. 33; Iss. 1-4

Monitoring of the thermal annealing of HDP-Si oxides by positron annihilation and thermal desorption spectrometry

H. Schut, A. van Veen, L.V. Jørgensen, O. Dankert, K.T. Westerduin, A.H. Reader, J.C. Oberlin
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Volume:
33
Année:
1997
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/s0167-9317(96)00065-2
Fichier:
PDF, 319 KB
english, 1997
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