Formation of C49-TiSi2 in flash memories: a nucleation...

Microelectronic Engineering 2003 Vol. 70; Iss. 2-4

Formation of C49-TiSi2 in flash memories: a nucleation controlled phenomenon?

D. Mangelinck, P. Gas, T. Badéche, E. Taing, F. Nemouchi, C. Perrin-Pellegrino, M. Vuaroqueaux, S. Niel, P. Fornara, J.M. Mirabel, L. Fares, P.H. Albarede
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Volume:
70
Année:
2003
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/s0167-9317(03)00435-0
Fichier:
PDF, 605 KB
english, 2003
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